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Typical Characteristics
5
(continued)
500
4
I D = 2.7A
V DS = 5V
15V
10V
400
f = 1MHz
V GS = 0 V
3
2
1
0
300
200
100
0
C ISS
C OSS
C RSS
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
4
8
12
16
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
R θ JA = 180 C/W
T A = 25 C
10
1
R DS(ON) LIMIT
1s
1ms
10ms
100ms
100 μ s
5
4
3
SINGLE PULSE
o
o
DC
2
0.1
V GS = 4.5V
SINGLE PULSE
R θ JA = 180 C/W
TA = 25 C
0.01
o
o
1
0
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
0.5
D = 0.5
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.2
0.1
0.2
0.1
P(pk)
R θ JA = 180°C/W
0.05
0.05
0.02
t 1
t 2
0.02
0.01
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
FDC6305N, Rev. C
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